FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
系列
Z-FET™Z-Rec®
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
193A（Tc）423A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 300A，20V16 毫欧 @ 120A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 15mA（典型值）2.6V @ 6mA（典型值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
378nC @ 20V1025nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6470pF @ 800V19500pF @ 800V
功率 - 最大值
925W1660W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
模块模块，螺丝端子
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Wolfspeed, Inc.
115
现货
1 : ¥4,476.64000
散装
散装
不适用于新设计
碳化硅（SiC）
2 个 N 通道（半桥）
-
1200V（1.2kV）
193A（Tc）
16 毫欧 @ 120A，20V
2.6V @ 6mA（典型值）
378nC @ 20V
6470pF @ 800V
925W
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
CAS120M12BM2
CAS300M12BM2
SIC 2N-CH 1200V 423A MODULE
Wolfspeed, Inc.
0
现货
1 : ¥7,318.72000
散装
散装
不适用于新设计
碳化硅（SiC）
2 个 N 通道（半桥）
-
1200V（1.2kV）
423A（Tc）
5.7 毫欧 @ 300A，20V
2.3V @ 15mA（典型值）
1025nC @ 20V
19500pF @ 800V
1660W
150°C（TJ）
底座安装
模块，螺丝端子
模块
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。