2.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 91
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microsemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7HEXFET®Military, MIL-PRF-19500/557PowerMESH™QFET®STripFET™ IISuperMESH3™SuperMESH5™SuperMESH™TrenchFET®TrenchMOS™UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V200 V400 V500 V525 V600 V620 V800 V900 V950 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V117 毫欧 @ 500mA,10V150 毫欧 @ 2.4A,10V170 毫欧 @ 1.7A,10V170 毫欧 @ 1.8A,10V200 毫欧 @ 1A,4.5V220 毫欧 @ 1.5A,10V220 毫欧 @ 2A,10V250 毫欧 @ 1A,10V430 毫欧 @ 1.75A,10V1.5 欧姆 @ 1.5A,10V1.6 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)650mV @ 1mA(最小)2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 100µA5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 10 V4.46 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.9 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
130 pF @ 100 V147 pF @ 10 V150 pF @ 500 V160 pF @ 25 V170 pF @ 20 V175 pF @ 100 V210 pF @ 25 V230 pF @ 10 V230 pF @ 25 V270 pF @ 20 V273.5 pF @ 25 V280 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)830mW(Tc)1W(Ta),10W(Tc)1.5W(Tc)1.6W(Ta),2.5W(Tc)1.9W(Tc)2W(Ta),30W(Tc)2W(Tc)2.5W(Tc)3W(Ta),55W(Tc)3.1W(Ta),50W(Tc)3.13W(Ta),55W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
军用汽车级
资质
AEC-Q101MIL-PRF-19500/557
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC18-ULCC(9.14x7.49)DPAKDPAK3(IPAK)H2PAKI2PAKIPAKISO247ITO-220ABPG-SOT223PG-TO251-3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)18-CLCCTO-205AD,TO-39-3 金属罐TO-205AF 金属罐TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
91结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 91
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,248
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.88876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF3NK80Z
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
5,929
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
8,594
现货
1 : ¥19.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.77579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
2.5A(Tc)
10V
6 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STMicroelectronics
1,498
现货
1 : ¥44.91000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.20134
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
2.5A(Tc)
10V
9 欧姆 @ 1.3A,10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),变体
SOT-23-3
SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Vishay Siliconix
15,323
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.5A(Tc)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.8A,10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.9W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223
IPN80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Infineon Technologies
26,325
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.60526
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 40µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 500 V
-
6.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Infineon Technologies
3,921
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89593
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 40µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 500 V
-
22W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
4,884
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.51921
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
9.5 nC @ 10 V
±30V
130 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF820PBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Vishay Siliconix
1,456
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF820APBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Vishay Siliconix
4,268
现货
1 : ¥13.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-3P-3 Full Pack
STFW3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
STMicroelectronics
1,195
现货
1 : ¥35.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
2.5A(Tc)
10V
9 欧姆 @ 1.3A,10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
63W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-220-3
STP3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
STMicroelectronics
1,700
现货
1 : ¥41.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
2.5A(Tc)
10V
9 欧姆 @ 1.3A,10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
SOT-23-3
SQ2303ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
9,136
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.5A(Tc)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.7A,10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.9W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220FP
STF3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,218
现货
1 : ¥14.69000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
9.5 nC @ 10 V
±30V
130 pF @ 100 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
8PowerVDFN
STL4N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
6,000
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.80514
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-220AB Full Pack
IRFIBC30GPBF
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Vishay Siliconix
1,568
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.5A(Tc)
10V
2.2 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220FP
STF3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
STMicroelectronics
890
现货
1 : ¥30.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
2.5A(Tc)
10V
6 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
STMicroelectronics
1,841
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
9.5 nC @ 10 V
±30V
130 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263AB
IRF820ASPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Vishay Siliconix
858
现货
1 : ¥13.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRF820APBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Vishay Siliconix
714
现货
1 : ¥13.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
-
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP3NK80Z
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
STMicroelectronics
981
现货
1 : ¥14.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263AB
IRF820STRRPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,546
现货
1 : ¥14.61000
剪切带(CT)
800 : ¥8.19488
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP4N52K3
MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
STMicroelectronics
2,203
现货
1 : ¥11.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
525 V
2.5A(Tc)
10V
2.6 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
11 nC @ 10 V
±30V
334 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
I-Pak
STD3NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
STMicroelectronics
3,000
现货
1 : ¥15.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
FDU3N50NZTU
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.25A,10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
280 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
DPAK3(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
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2.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。