RF FET，MOSFET

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比较	制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	技术	频率	增益	电压 - 测试	额定电流（安培）	噪声系数	电流 - 测试	功率 - 输出	电压 - 额定	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

	AFT05MS004NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A NXP USA Inc.	29,890 现货	1 : ¥23.15000 剪切带（CT） 1,000 : ¥11.36732 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	LDMOS	520MHz	20.9dB	7.5 V	-	-	100 mA	4.9W	30 V	表面贴装型	TO-243AA	SOT-89A
	PD55003L-E RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT STMicroelectronics	12,888 现货	1 : ¥65.10000 剪切带（CT） 3,000 : ¥35.57028 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	LDMOS	500MHz	19dB	12.5 V	2.5A	-	50 mA	3W	40 V	-	8-PowerVDFN	PowerFLAT™（5x5）
	PD57018-E RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 STMicroelectronics	226 现货	1 : ¥251.70000 管件	-	管件	在售	LDMOS	945MHz	16.5dB	28 V	2.5A	-	100 mA	18W	65 V	-	PowerSO-10 裸露底部焊盘	10-PowerSO
	PD55008-E RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 STMicroelectronics	319 现货	1 : ¥139.07000 管件	-	管件	在售	LDMOS	500MHz	17dB	12.5 V	4A	-	150 mA	8W	40 V	-	PowerSO-10 裸露底部焊盘	10-PowerSO
	PD57018S-E RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF STMicroelectronics	381 现货	1 : ¥251.70000 管件	-	管件	在售	LDMOS	945MHz	16.5dB	28 V	2.5A	-	100 mA	18W	65 V	-	PowerSO-10 裸露底部焊盘	PowerSO-10RF（直引线）
	SD57045 RF MOSFET LDMOS 28V M243 STMicroelectronics	17 现货	1 : ¥701.16000 盒	-	盒	在售	LDMOS	945MHz	15dB	28 V	5A	-	250 mA	45W	65 V	-	M243	M243
	PD54008L-E RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT STMicroelectronics	0 现货查看交期	1 : ¥71.67000 剪切带（CT） 3,000 : ¥39.12731 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	LDMOS	500MHz	15dB	7.5 V	5A	-	200 mA	8W	25 V	-	8-PowerVDFN	PowerFLAT™（5x5）

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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

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