RF FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
MACOM Technology SolutionsNXP USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
技术
JFETLDMOSMOSFET（金属氧化物）
频率
30MHz ~ 200MHz30MHz ~ 500MHz400MHz520MHz
增益
16dB19.5dB20.9dB-
电压 - 测试
7.5 V15 V28 V
额定电流（安培）
15mA2.5A4A4.5A-
噪声系数
1dB4dB-
电流 - 测试
5 mA25 mA100 mA
功率 - 输出
4.9W15W20W45W-
电压 - 额定
30 V35 V65 V
封装/外壳
211-07319-07TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
供应商器件封装
211-07，2 型319-07，3 型SOT-23-3SOT-89A
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-243AA
AFT05MS004NT1
RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
NXP USA Inc.
29,818
现货
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.36805
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
520MHz
20.9dB
7.5 V
-
-
100 mA
4.9W
30 V
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89A
424
现货
1 : ¥403.10000
托盘
-
托盘
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
400MHz
16dB
28 V
2.5A
1dB
25 mA
15W
65 V
-
211-07
211-07，2 型
136
现货
1 : ¥506.06000
托盘
-
托盘
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
30MHz ~ 500MHz
16dB
28 V
4A
-
25 mA
20W
65 V
-
319-07
319-07，3 型
SOT-23-3
MMBF4416A
RF MOSFET JFET 15V SOT23-3
onsemi
40,532
现货
78,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
JFET
N 通道
400MHz
-
15 V
15mA
4dB
5 mA
-
35 V
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
329
现货
1 : ¥396.87000
托盘
-
托盘
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
30MHz ~ 200MHz
19.5dB
28 V
4.5A
-
25 mA
45W
65 V
-
211-07
211-07，2 型
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。