RF FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Ampleon USA Inc.NXP USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
配置
双双，共源
频率
1.8MHz ~ 470MHz108MHz400MHz
增益
24dB24.4dB28.9dB
电压 - 测试
50 V65 V
额定电流（安培）
2.8µA10µA-
电流 - 测试
40 mA100 mA200 mA
功率 - 输出
1400W1800W2000W
电压 - 额定
135 V182 V200 V
封装/外壳
SOT-539ASOT-979A
供应商器件封装
NI-1230-4HSOT539A
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT539A
BLF188XRU
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
Ampleon USA Inc.
371
现货
1 : ¥1,774.56000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
108MHz
24.4dB
50 V
-
-
40 mA
1400W
135 V
底座安装
SOT-539A
SOT539A
SOT539A
ART2K0FEU
RF MOSFET LDMOS 65V SOT539A
Ampleon USA Inc.
156
现货
1 : ¥1,854.04000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
400MHz
28.9dB
65 V
2.8µA
-
100 mA
2000W
200 V
底座安装
SOT-539A
SOT539A
MRFX1K80H
MRFX1K80HR5
RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
NXP USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥1,601.66000
剪切带（CT）
50 : ¥1,500.18240
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
双
1.8MHz ~ 470MHz
24dB
65 V
10µA
-
200 mA
1800W
182 V
底座安装
SOT-979A
NI-1230-4H
显示
/ 3

RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。