JFET

结果 : 2
系列
LSK170BLSK170C
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
6 mA @ 10 V10 mA @ 10 V
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市场产品
2结果

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
漏源电压(Vdss)
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
漏极电流 (Id) - 最大值
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
666
现货
1 : ¥46.80000
散装
散装
在售
N 通道
40 V
40 V
10 mA @ 10 V
10 mA
200 mV @ 1 nA
20pF @ 15V
400 mW
-55°C ~ 135°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
1,212
现货
1 : ¥51.64000
散装
散装
在售
N 通道
40 V
40 V
6 mA @ 10 V
10 mA
200 mV @ 1 nA
20pF @ 15V
400 mW
-55°C ~ 135°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
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JFET


结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。