JFET

结果 : 6
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
40 V50 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
1.2 mA @ 10 V2.6 mA @ 10 V6 mA @ 10 V14 mA @ 10 V20 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
200 mV @ 100 nA400 mV @ 100 nA1.5 V @ 100 nA2 V @ 0.5 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.2pF @ 10V13pF @ 10V-
功率 - 最大值
100 mW150 mW200 mW250 mW
工作温度
125°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SC-59SC-70SOT-23-3USMUSV
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
漏极电流 (Id) - 最大值
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
电阻 - RDS(On)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
73,278
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
50 V
14 mA @ 10 V
14 mA
1.5 V @ 100 nA
13pF @ 10V
-
150 mW
125°C（TJ）
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-59
SOT-23-3
BSR57
JFET N-CH 40V SOT23-3
onsemi
24,523
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86420
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
40 V
20 mA @ 15 V
-
2 V @ 0.5 nA
-
40 Ohms
250 mW
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
23,134
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93381
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
1.2 mA @ 10 V
-
400 mV @ 100 nA
8.2pF @ 10V
-
100 mW
125°C（TJ）
表面贴装型
SC-70，SOT-323
USM
13,694
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51892
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
50 V
2.6 mA @ 10 V
-
1.5 V @ 100 nA
13pF @ 10V
-
100 mW
125°C（TJ）
表面贴装型
SC-70，SOT-323
SC-70
9,105
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51892
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
50 V
6 mA @ 10 V
-
1.5 V @ 100 nA
13pF @ 10V
-
100 mW
125°C（TJ）
表面贴装型
SC-70，SOT-323
SC-70
44,130
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18968
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
6 mA @ 10 V
-
200 mV @ 100 nA
13pF @ 10V
-
200 mW
125°C（TJ）
表面贴装型
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
USV
显示
/ 6

JFET

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。