IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

FS100R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 140A 480W Infineon Technologies	8 现货	1 : ¥1,381.63000 托盘	-	托盘	不适用于新设计	NPT	单路	1200 V	140 A	480 W	2.15V @ 15V，100A	5 mA	7.1 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 75A 385W Infineon Technologies	22 现货	1 : ¥1,397.23000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	75 A	385 W	2.15V @ 15V，75A	1 mA	4.3 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块

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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。