IGBT 模块

结果 : 14
系列
-CEconoDUAL™ 3PrimePACK™2PrimePACK™3
产品状态
不适用于新设计在售
IGBT 类型
NPT沟槽型场截止
配置
2 个独立式三相反相器半桥单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
240 A280 A320 A450 A600 A840 A900 A1060 A1400 A2400 A
功率 - 最大值
20 mW40 W1000 W1100 W1600 W2500 W2800 W3150 W4050 W765000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，900A2.05V @ 15V，1400A2.1V @ 15V，450A2.1V @ 15V，600A2.15V @ 15V，1200A2.15V @ 15V，200A2.15V @ 15V，300A2.15V @ 15V，600A2.2V @ 15V，600A2.3V @ 15V，450A2.45V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA1 mA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V19 nF @ 25 V28 nF @ 25 V36 nF @ 25 V37 nF @ 25 V38 nF @ 25 V42 nF @ 25 V54 nF @ 25 V65.5 nF @ 25 V82 nF @ 25 V122 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C
供应商器件封装
AG-ECONODAG-ECONOD-5模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Infineon Technologies
69
现货
1 : ¥916.39000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
240 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
5
现货
1 : ¥1,786.88000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
600 A
-
2.2V @ 15V，600A
5 mA
38 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Infineon Technologies
20
现货
1 : ¥916.39000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
320 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF300R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 1600W
Infineon Technologies
19
现货
1 : ¥1,113.18000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
450 A
1600 W
2.15V @ 15V，300A
5 mA
19 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FZ600R17KE3
FZ600R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Infineon Technologies
25
现货
1 : ¥1,498.55000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
900 A
2800 W
2.15V @ 15V，600A
5 mA
42 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FZ600R17KE3
FZ600R17KE3HOSA1
IGBT MOD 1700V 840A 3150W
Infineon Technologies
10
现货
1 : ¥1,983.10000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1700 V
840 A
3150 W
2.45V @ 15V，600A
3 mA
54 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
10
现货
1 : ¥2,401.06000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
900 A
-
1.8V @ 15V，900A
100 µA
122 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 175°C
底座安装
模块
AG-ECONOD
7
现货
1 : ¥1,328.69000
托盘
-
托盘
在售
NPT
三相反相器
1200 V
280 A
1000 W
2.15V @ 15V，200A
1 mA
14 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FF600R12ME4CBOSA1
FF600R12ME4CBOSA1
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
Infineon Technologies
10
现货
1 : ¥2,361.16000
托盘
-
托盘
不适用于新设计
沟槽型场截止
半桥
1200 V
1060 A
4050 W
2.1V @ 15V，600A
3 mA
37 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
EconoDUAL
FF450R17ME4BOSA1
IGBT MOD 1700V 600A 2500W
Infineon Technologies
10
现货
1 : ¥2,472.81000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1700 V
600 A
2500 W
2.3V @ 15V，450A
3 mA
36 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
3
现货
1 : ¥5,535.51000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
2400 A
20 mW
2.15V @ 15V，1200A
5 mA
65.5 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 175°C
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
1 : ¥1,874.97000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
450 A
40 W
2.1V @ 15V，450A
3 mA
28 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
6 : ¥1,992.49500
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
600 A
20 mW
2.1V @ 15V，600A
3 mA
37 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
AG-ECONOD-5
0
现货
查看交期
1 : ¥5,430.18000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
1400 A
765000 W
2.05V @ 15V，1400A
5 mA
82 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。