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FET、MOSFET 阵列
结果 : 6
配置
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 62 现货 | 1 : ¥1,483.61000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 6 N-沟道（3 相桥） | - | 1200V（1.2kV） | 40A | 42.6 毫欧 @ 30A，15V | 3.6V @ 11.5mA | 118nC @ 15V | 3400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
| 33 现货 | 1 : ¥1,907.48000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 6 N-沟道（3 相桥） | - | 1200V（1.2kV） | 51A | 27.9 毫欧 @ 30A，15V | 3，6V @ 17，7mA | 162nC @ 15V | 4900pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
 | 46 现货 | 1 : ¥2,613.94000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | - | 6.9 毫欧 @ 200A，15V | 3.6V @ 69mA | 708nC @ 15V | 20400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
| 5 现货 | 1 : ¥1,441.24000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 105A | 14 毫欧 @ 100A，15V | 3.6V @ 35mA | 324nC @ 15V | 10300pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
| 40 现货 | 1 : ¥1,178.12000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 78A | 21.3 毫欧 @ 80A，15V | 3.6V @ 23mA | 236nC @ 15V | 6600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
| 39 现货 | 1 : ¥2,048.77000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | - | 10.4 毫欧 @ 150A，15V | 3.6V @ 46mA | 472nC @ 15V | 13600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - |
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