FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA530mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 15V175pF @ 16V
功率 - 最大值
400mW500mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-563SOT-666
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMP2004VK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Diodes Incorporated
52,249
现货
891,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01480
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
530mA
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 16V
400mW
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
SOT666
NX3008NBKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666
Nexperia USA Inc.
31,202
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.72729
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
400mA
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-666
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。