FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）250mA（Ta）800mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V，390 毫欧 @ 800mA，4.5V2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V1nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12pF @ 10V17pF @ 10V，36pF @ 25V55pF @ 10V，100pF @ 10V
功率 - 最大值
150mW（Ta）300mW330mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOPES6US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
274,201
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52932
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
250mA（Ta）
2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
US6
SOT363
NX6020CAKSX
MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
15,920
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
60V，50V
170mA（Ta）
4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V
17pF @ 10V，36pF @ 25V
330mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.51375
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
800mA（Ta）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V，390 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V，100pF @ 10V
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。