FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），27A（Tc）9，4A（Ta），31A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 5A，10V20.3 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 21µA4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8nC @ 10V17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
355pF @ 30V900pF @ 40V
功率 - 最大值
3.1W（Ta），31W（Tc）3，2W（Ta），34W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 Power TDFN
NTMFD6H846NLT1G
MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
onsemi
2,059
现货
1,500
工厂
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.47303
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
80V
9，4A（Ta），31A（Tc）
15 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 21µA
17nC @ 10V
900pF @ 40V
3，2W（Ta），34W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
8 Power TDFN
NTMFD020N06CT1G
MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
onsemi
1,290
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.02576
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
8A（Ta），27A（Tc）
20.3 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 20µA
5.8nC @ 10V
355pF @ 30V
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。