FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）180mA8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 8A，10V4 欧姆 @ 10mA，4V6 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87nC @ 10V12nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.5pF @ 3V22pF @ 25V415pF @ 20V
功率 - 最大值
200mW（Ta）300mW2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOICSOT-363US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,067,953
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.99077
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A，10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SOT 363
DMN65D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Diodes Incorporated
21,740
现货
2,268,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52783
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
180mA
6 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
14,321
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
100mA（Ta）
4 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
200mW（Ta）
150°C
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
US6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。