FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖在售
配置
N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A,2A2.5A,2A2.7A,1.9A4A,3A6.5A,4.2A7A,5A7A(Ta),4.5A(Ta)9A,6.5A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 7.4A,10V24 毫欧 @ 9A,10V25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V28 毫欧 @ 7A,10V29 毫欧 @ 5.8A,10V50 毫欧 @ 2.4A,10V57 毫欧 @ 2.3A,10V80 毫欧 @ 2.7A,4.5V95 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 11µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5nC @ 10V4.5nC @ 4.5V6.6nC @ 10V8.4nC @ 5V,8.5nC @ 5V9.8nC @ 10V16nC @ 10V20nC @ 10V25nC @ 4.5V33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
275pF @ 15V282pF @ 15V325pF @ 10V501pF @ 15V520pF @ 15V575pF @ 15V600pF @ 10V,850pF @ 10V650pF @ 25V1000pF @ 20V
功率 - 最大值
500mW700mW900mW1.2W1.3W1.4W2W2W(Ta)2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-252-5,DPAK(4 引线 + 耳片),TO-252AD
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOPPG-TSOP6-6SuperSOT™-6TO-252(DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
24,259
现货
695,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.28422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A,4.2A
20 毫欧 @ 7.4A,10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SG6858TZ
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
23,606
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49458
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
2.7A,1.9A
80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.5nC @ 4.5V
325pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SG6858TZ
FDC6333C
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
21,235
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66581
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A,2A
95 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
6.6nC @ 10V
282pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
17,408
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.04718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SC-74, SOT-457
BSL308CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Infineon Technologies
20,507
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.93665
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
2.3A,2A
57 毫欧 @ 2.3A,10V
2V @ 11µA
1.5nC @ 10V
275pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TSOP6-6
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Infineon Technologies
20,104
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.83869
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
4A,3A
50 毫欧 @ 2.4A,10V
1V @ 250µA
25nC @ 4.5V
520pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
FDS8958A
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
onsemi
2,865
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.63616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
7A,5A
28 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
16nC @ 10V
575pF @ 15V
900mW
-
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16,902
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.51327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
TO-252-5
FDD8424H
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
onsemi
0
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
9A,6.5A
24 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
1000pF @ 20V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-5,DPAK(4 引线 + 耳片),TO-252AD
TO-252(DPAK)
8-SOIC
SP8M10FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,156
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4V 驱动
30V
7A(Ta),4.5A(Ta)
25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V
2.5V @ 1mA
8.4nC @ 5V,8.5nC @ 5V
600pF @ 10V,850pF @ 10V
2W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。