FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA250mA320mA350mA540mA2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 2A,10V550 毫欧 @ 540mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V1.5 欧姆 @ 10mA,4V1.6 欧姆 @ 320mA,10V4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 11µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 100µA1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V0.75nC @ 4.5V1.3nC @ 5V2.5nC @ 4.5V5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
33pF @ 5V46pF @ 15V50pF @ 15V56pF @ 10V150pF @ 16V500pF @ 15V
功率 - 最大值
250mW272mW445mW500mW
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOPPG-TSOP6-6SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98,452
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
523,146
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.79848
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SC-74, SOT-457
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Infineon Technologies
25,077
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.90462
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
2A
80 毫欧 @ 2A,10V
1V @ 11µA
5nC @ 10V
500pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TSOP6-6
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
910,003
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49626
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
350mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
426,014
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68170
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 320mA,10V
1.6V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
56pF @ 10V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
275,857
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
200mA
4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.75nC @ 4.5V
46pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。