FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA350mA，200mA7.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 9A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68nC @ 4.5V7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 15V393pF @ 15V
功率 - 最大值
445mW700mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-TSSOPU-DFN2020-6（B 类）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
909,843
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49629
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
350mA
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
33,635
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
350mA，200mA
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
U-DFN2020-6
DMT3020LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Diodes Incorporated
5,782
现货
495,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.76488
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
7.7A
20 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6（B 类）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。