FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A12A（Ta），54A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 10A，10V，3.5 毫欧 @ 10A，10V100 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 10V，14nC @ 10V25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440pF @ 25V1103pF @ 15V，972pF @ 15V
功率 - 最大值
1W（Ta），20W（Tc）2W
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）12-PowerWQFN
供应商器件封装
8-SO12-WQFN（3.3x3.3）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IRF7306TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
12,747
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.04337
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.6A
100 毫欧 @ 1.8A，10V
1V @ 250µA
25nC @ 10V
440pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
12-PowerWQFN
NTTFD4D1N03P1E
MOSFET 2N-CH 30V 12A/54A 12WQFN
onsemi
2,718
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.75236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
12A（Ta），54A（Tc）
4.3 毫欧 @ 10A，10V，3.5 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 270µA
15nC @ 10V，14nC @ 10V
1103pF @ 15V，972pF @ 15V
1W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
12-PowerWQFN
12-WQFN（3.3x3.3）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。