FET、MOSFET 阵列

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-LITTLE FOOT®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V60V80V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A5.8A,8.2A6A14A(Ta),74A(Tc)30A(Tc)34A(Tc)36A(Tc)36.7A54.7A(Tc)63A(Tc)100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 毫欧 @ 20A,10V6.9 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 10A,10V13.5 毫欧 @ 5A,10V17.4 毫欧 @ 17A,10V18 毫欧 @ 15A,10V18.5 毫欧 @ 6.8A,10V25.5 毫欧 @ 10A,10V32 毫欧 @ 5A,10V40 毫欧 @ 6A,10V,19 毫欧 @ 10A,10V58 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 96µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6nC @ 10V10nC @ 5V19nC @ 10V24nC @ 10V27nC @ 10V28.6nC @ 10V30nC @ 10V30nC @ 10V,15nC @ 10V32nC @ 10V36nC @ 10V75nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
235pF @ 15V670pF @ 20V1050pF @ 25V1170pF @ 50V1390pF @ 25V,650pF @ 25V1950pF @ 25V1986pF @ 50V1995pF @ 40V2002pF @ 40V5900pF @ 20V-
功率 - 最大值
1W,1.25W1.4W2.2W(Ta),78W(Tc)20.8W46W48W71W75W187W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® 8 x 8 双PowerPAK® SO-8 双SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)8-SOICPowerDI5060-8PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® 8 x 8 双PowerPAK® SO-8 双PowerPAK® SO-8 双通道不对称
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,319
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
3.7A
58 毫欧 @ 3.4A,10V
2.2V @ 250µA
6nC @ 10V
235pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
4,799
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.60213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
30A(Tc)
25.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30nC @ 10V
1050pF @ 25V
48W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
13,008
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.43291
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
6A
32 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
19nC @ 10V
670pF @ 20V
20.8W
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK-Dual
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Vishay Siliconix
4,069
现货
1 : ¥19.21000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.67378
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
63A(Tc)
9 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
24nC @ 10V
1950pF @ 25V
71W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK SO-8 Dual Asymmetric
SQJ990EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8
Vishay Siliconix
8,975
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.60213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
34A(Tc)
40 毫欧 @ 6A,10V,19 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30nC @ 10V,15nC @ 10V
1390pF @ 25V,650pF @ 25V
48W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双通道不对称
8-SOIC
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Vishay Siliconix
1,211
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.84500
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
逻辑电平门
30V
5.8A,8.2A
18.5 毫欧 @ 6.8A,10V
3V @ 250µA
10nC @ 5V
-
1W,1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK-8x8-Dual
SQJQ904E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Vishay Siliconix
1,243
现货
1 : ¥16.83000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.17570
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
100A(Tc)
3.4 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
75nC @ 10V
5900pF @ 20V
75W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK-8x8-Dual
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
Vishay Siliconix
5,898
现货
1 : ¥21.10000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.52736
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
80V
36A(Tc)
13.5 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
36nC @ 10V
1995pF @ 40V
187W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK® 8 x 8 双
8 Power TDFN
NVMFD6H840NLT1G
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
onsemi
115
现货
1 : ¥21.67000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.30164
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
80V
14A(Ta),74A(Tc)
6.9 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 96µA
32nC @ 10V
2002pF @ 40V
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
PowerDI5060-8
DMT10H017LPD-13
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Diodes Incorporated
2,359
现货
5,000
工厂
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.60948
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
54.7A(Tc)
17.4 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
28.6nC @ 10V
1986pF @ 50V
2.2W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7252DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.71983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
100V
36.7A
18 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
27nC @ 10V
1170pF @ 50V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。