FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A，16A79A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 25A，10V9 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.9nC @ 10V18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
978pF @ 20V1130pF @ 15V
功率 - 最大值
800mW3W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power33（3x3）PowerDI5060-8（UXD 类）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FDMC 8-PowerWDFN
FDMC7208S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
onsemi
5,400
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.34790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
12A，16A
9 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
18nC @ 10V
1130pF @ 15V
800mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-Power33（3x3）
DMTH45M5LPDW-13
DMTH45M5LPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50
Diodes Incorporated
1,853
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.48893
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
79A（Tc）
5.5 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
13.9nC @ 10V
978pF @ 20V
3W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8（UXD 类）
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。