FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 沟道(双)共源2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
830mA3.8A5A15A39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.4 毫欧 @ 10A,8V27 毫欧 @ 5A,4.5V32.4 毫欧 @ 4A,10V70 毫欧 @ 2.8A,4.5V500 毫欧 @ 830mA,4.5V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA2V @ 250µA2.1V,1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.1nC @ 4.5V3.2nC @ 4.5V5.4nC @ 4.5V6nC @ 10V6.5nC @ 4.5V15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
135pF @ 10V353pF @ 15V469pF @ 10V518pF @ 15V536pF @ 10V2390pF @ 10V
功率 - 最大值
446mW1.4W2.3W2.5W6W
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerLDFN8-PowerVDFNSOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-WSON(2x2)8-LSON(5x6)8-VSON(3.3x3.3)SOT-563FU-DFN2020-6(B 类)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-563
FDY1002PZ
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
onsemi
29,635
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49581
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
830mA
500 毫欧 @ 830mA,4.5V
1V @ 250µA
3.1nC @ 4.5V
135pF @ 10V
446mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
8-SON
CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Texas Instruments
7,741
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.18786
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共源
逻辑电平栅极,5V 驱动
20V
39A
12.4 毫欧 @ 10A,8V
1.4V @ 250µA
15.2nC @ 4.5V
2390pF @ 10V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PowerVDFN
8-VSON(3.3x3.3)
8SON
CSD87331Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Texas Instruments
5,453
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.42296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
30V
15A
-
2.1V,1.2V @ 250µA
3.2nC @ 4.5V
518pF @ 15V
6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON(5x6)
U-DFN2020-6
DMP2160UFDBQ-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
52,406
现货
180,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.54108
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A,4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6(B 类)
6-WSON
CSD87502Q2T
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
13,079
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
250 : ¥6.34656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,5V 驱动
30V
5A
32.4 毫欧 @ 4A,10V
2V @ 250µA
6nC @ 10V
353pF @ 15V
2.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON(2x2)
6-WDFN Exposed Pad
CSD85301Q2T
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Texas Instruments
1,030
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
250 : ¥6.03656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,5V 驱动
20V
5A
27 毫欧 @ 5A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.4nC @ 4.5V
469pF @ 10V
2.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON(2x2)
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。