FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Panjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
-MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
12V，20V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA320mA（Ta）360mA（Ta）550mA（Ta）6.1A（Ta），3.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 5.2A，4.5V，80 毫欧 @ 3.8A，4.5V900mOhm @ 420mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5nC @ 4.5V1nC @ 4.5V18.5nC @ 8V，11.5nC @ 8V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25pF @ 10V34pF @ 10V50pF @ 25V787pF @ 6V，576pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW236mW（Ta）420mW800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSSOPSOT-363TSOT-26UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
787,889
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46949
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
UMT6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT138K_R1_00001
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
11,871
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39580
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
50V
360mA（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1nC @ 4.5V
50pF @ 25V
236mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
SOT363
2N7002HSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
4,582
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53090
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
2 N-通道（双）
-
60V
320mA（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
34pF @ 10V
420mW
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMP31D7LDW-7
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
Diodes Incorporated
2,777
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56636
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
-
550mA（Ta）
900mOhm @ 420mA，10V
2.6V @ 250µA
-
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMC1028UVT-7
MOSFET N/P-CH 12V 6.1A TSOT26
Diodes Incorporated
3,646
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
12V，20V
6.1A（Ta），3.5A（Ta）
25 毫欧 @ 5.2A，4.5V，80 毫欧 @ 3.8A，4.5V
1V @ 250µA
18.5nC @ 8V，11.5nC @ 8V
787pF @ 6V，576pF @ 10V
800mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。