FET、MOSFET 阵列

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V55V60V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A4.7A4.7A,3.4A5A5.4A6.5A7.6A(Ta)8A8.2A,32A9.1A,11A9.5A(Ta)10.5A(Ta)15A30A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.4 毫欧 @ 10.5A,10V14 毫欧 @ 10A,10V14.5 毫欧 @ 9.5A,10V16.4 毫欧 @ 9.1A,10V19 毫欧 @ 8A,10V19.5 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 15A,10V28 毫欧 @ 5A,10V30 毫欧 @ 5.4A,4.5V40 毫欧 @ 4.5A,10V41 毫欧 @ 5.3A,10V50 毫欧 @ 4.7A,10V73 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.35V @ 25µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.4nC @ 10V10nC @ 4.5V12nC @ 10V17nC @ 10V20.1nC @ 10V22nC @ 10V22.4nC @ 10V23nC @ 10V23.6nC @ 10V25nC @ 10V26nC @ 4.5V36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
415pF @ 20V660pF @ 25V740pF @ 25V741pF @ 30V755pF @ 30V840pF @ 30V850pF @ 15V864pF @ 30V1143pF @ 25V1287pF @ 25V1310pF @ 15V1400pF @ 30V1578pF @ 25V
功率 - 最大值
1.3W1.4W,1.9W1.5W2W2W(Ta)2.1W2.5W(Ta)3.7W53W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
资质
AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)SOT-1205,8-LFPAK56
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOPLFPAK56DMicro8™PowerDI5060-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,067,953
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.99077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
DMN6040SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Diodes Incorporated
5,233
现货
2,402,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
5A
40 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Infineon Technologies
6,673
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.69866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
55V
4.7A
50 毫欧 @ 4.7A,10V
1V @ 250µA
36nC @ 10V
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
6,279
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.82985
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
55V
4.7A,3.4A
50 毫欧 @ 4.7A,10V
1V @ 250µA
36nC @ 10V
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
4,212
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.82541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
80V
3.6A
73 毫欧 @ 2.2A,10V
4V @ 250µA
23nC @ 10V
660pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Diodes Incorporated
3,263
现货
210,000
工厂
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.86276
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
7.6A(Ta)
19.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
1.4W,1.9W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Infineon Technologies
8,848
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.91709
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
9.1A,11A
16.4 毫欧 @ 9.1A,10V
2.35V @ 25µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
CSD88539ND
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Texas Instruments
4,968
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.84750
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
15A
28 毫欧 @ 5A,10V
3.6V @ 250µA
9.4nC @ 10V
741pF @ 30V
2.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SI4946BEY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Vishay Siliconix
19,269
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.38277
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
6.5A
41 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
840pF @ 30V
3.7W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
16,173
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.78016
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
9.5A(Ta)
14.5 毫欧 @ 9.5A,10V
2.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
755pF @ 30V
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
LFPAK56D
BUK7K17-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
170,764
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.13101
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
30A
14 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
23.6nC @ 10V
1578pF @ 25V
53W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
SOT-1205,8-LFPAK56
LFPAK56D
DMPH4015SPSQ-13
DMNH6021SPDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Diodes Incorporated
14,719
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.64613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
8.2A,32A
25 毫欧 @ 15A,10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
1.5W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
8-SOIC
SH8KC7TB1
MOSFET 2N-CH 60V 10.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,875
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.54574
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
10.5A(Ta)
12.4 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 1mA
22nC @ 10V
1400pF @ 30V
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Infineon Technologies
565
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.88945
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
5.4A
30 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1.2V @ 250µA
26nC @ 4.5V
1310pF @ 15V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
Micro8™
显示
/ 14

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。