FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA600mA,350mA1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
500 毫欧 @ 1A,10V700 毫欧 @ 600mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF @ 15V60pF @ 10V153pF @ 50V
功率 - 最大值
445mW446mW700mW
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOPSOT-563FSuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
909,843
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
350mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SG6858TZ
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
onsemi
3,480
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.78444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
1A
500 毫欧 @ 1A,10V
4V @ 250µA
5nC @ 10V
153pF @ 50V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT-563
FDY4000CZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F
onsemi
0
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
600mA,350mA
700 毫欧 @ 600mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.1nC @ 4.5V
60pF @ 10V
446mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
显示
/ 3

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。