FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Taiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA2.5A（Ta），5A（Tc），2A（Ta），4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
103 毫欧 @ 2.5A，10V，180 毫欧 @ 2A，10V4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7nC @ 15V9.4nC @ 10V，9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23pF @ 25V527pF @ 30V，436pF @ 30V
功率 - 最大值
250mW1.4W（Ta），5.7W（Tc）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
8-SOPSC-89（SOT-563F）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Vishay Siliconix
35,230
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34538
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
60V
190mA
4 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.7nC @ 15V
23pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SC-89（SOT-563F）
8-SOP
TSM8588CS RLG
MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/5A 8SOP
Taiwan Semiconductor Corporation
2,144
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.91894
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
60V
2.5A（Ta），5A（Tc），2A（Ta），4A（Tc）
103 毫欧 @ 2.5A，10V，180 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
9.4nC @ 10V，9nC @ 10V
527pF @ 30V，436pF @ 30V
1.4W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。