FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA220mA(Ta)220mA,200mA300mA320mA800mA(Ta)1.03A,700mA1.07A,845mA1.34A,1.14A3.4A,2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 3.1A,10V235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V400 毫欧 @ 600mA,4.5V450 毫欧 @ 600mA,4.5V480 毫欧 @ 200mA,5V1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.38nC @ 4.5V0.5nC @ 4.5V0.6nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V1nC @ 10V1.4nC @ 4.5V13nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.5pF @ 15V22.6pF @ 15V37.1pF @ 10V40pF @ 10V50pF @ 10V55pF @ 10V,100pF @ 10V60.67pF @ 10V60.67pF @ 16V115pF @ 10V400pF @ 15V
功率 - 最大值
125mW(Ta)150mW150mW(Ta)285mW330mW350mW420mW450mW840mW1.12W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6SOT-563,SOT-666SOT-963
供应商器件封装
6-TSSOPEMT6ES6SOT-26SOT-363SOT-563SOT-963TSOT-26US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348,036
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
71,012
现货
873,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
26,459
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
8,000 : ¥2.03273
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
220mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
12.5pF @ 15V
125mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1,193,934
现货
6,348,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42067
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.34A,1.14A
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
1.12W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
168,245
现货
3,492,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69161
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-13
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
34,944
现货
2,840,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.48820
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
DMN2990UDJQ-7
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Diodes Incorporated
69,812
现货
1,090,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥1.01860
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
220mA,200mA
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.38nC @ 4.5V
22.6pF @ 15V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
EMT6_EMT6 PKg
EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
1,230
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.10276
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
200mA
1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 100µA
1.4nC @ 4.5V
115pF @ 10V
150mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
EMT6
11
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32003
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.51372
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。