FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 5A，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.3nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25pF @ 10V500pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
788,119
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46949
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
UMT6
6-VDFN Exposed Pad
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
onsemi
9,999
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.43206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
5A
54 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
7.3nC @ 4.5V
500pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-MicroFET（2x2）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。