FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-LITTLE FOOT®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A2.5A3.5A5.8A,8.2A6A25A70A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.6 毫欧 @ 10A,10V16.4 毫欧 @ 10A,4.5V18.5 毫欧 @ 6.8A,10V32 毫欧 @ 5A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V95 毫欧 @ 2.5A,10V125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2nC @ 5V4nC @ 4.5V4.1nC @ 4.5V10nC @ 5V19nC @ 10V32nC @ 8V58nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220pF @ 15V305pF @ 15V670pF @ 20V1220pF @ 10V2832pF @ 50V-
功率 - 最大值
700mW830mW840mW1W,1.25W20.8W23W187W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® 8 x 8 双SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICPowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® 8 x 8 双SuperSOT™-6TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSOT-26
DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Diodes Incorporated
61,223
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25234
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
3.5A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.2V @ 250µA
4.1nC @ 4.5V
305pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
13,008
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.43256
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
6A
32 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
19nC @ 10V
670pF @ 20V
20.8W
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
SG6858TZ
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
onsemi
4,209
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82102
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
2.5A
95 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
3.2nC @ 5V
220pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
Pkg 5540
SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Vishay Siliconix
38,488
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29216
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
2A
125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
4nC @ 4.5V
-
830mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7232DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Vishay Siliconix
11,703
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71751
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
25A
16.4 毫欧 @ 10A,4.5V
1V @ 250µA
32nC @ 8V
1220pF @ 10V
23W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK-8x8-Dual
SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Vishay Siliconix
6,265
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.47384
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
70A(Tc)
8.6 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
58nC @ 10V
2832pF @ 50V
187W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8 双
PowerPAK® 8 x 8 双
8-SOIC
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Vishay Siliconix
1,211
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.84463
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
逻辑电平门
30V
5.8A,8.2A
18.5 毫欧 @ 6.8A,10V
3V @ 250µA
10nC @ 5V
-
1W,1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。