FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA340mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35nC @ 5V0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36pF @ 25V50pF @ 10V
功率 - 最大值
350mW500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT666
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Nexperia USA Inc.
39,489
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.77028
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
340mA
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
50pF @ 10V
350mW
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-666
SOT666
BSS84AKV,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Nexperia USA Inc.
44,515
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.69470
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
170mA
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-666
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。