FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
55V450V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）4.7A，3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 4.7A，10V4 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9nC @ 10V36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
256pF @ 25V740pF @ 25V
功率 - 最大值
1.64W2W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
6,279
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.82985
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
55V
4.7A，3.4A
50 毫欧 @ 4.7A，10V
1V @ 250µA
36nC @ 10V
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
8 SO
DMGD7N45SSD-13
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Diodes Incorporated
3,731
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.38500
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
450V
500mA（Ta）
4 欧姆 @ 400mA，10V
4.5V @ 1mA
6.9nC @ 10V
256pF @ 25V
1.64W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。