FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiWolfspeed, Inc.
系列
-WolfPACK™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘
技术
MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA78A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21.3 毫欧 @ 80A,15V4 欧姆 @ 220mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA3.6V @ 23mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4nC @ 4.5V236nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5pF @ 10V6600pF @ 800V
功率 - 最大值
300mW-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363模块
供应商器件封装
-SC-88(SC-70-6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
FDG6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
onsemi
68,487
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15458
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
25V
220mA
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
CCB032M12FM3
CAB016M12FM3
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Wolfspeed, Inc.
40
现货
1 : ¥985.19000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
78A
21.3 毫欧 @ 80A,15V
3.6V @ 23mA
236nC @ 15V
6600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。