FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial Coonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA230mA295mA300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 10V0.9nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V26pF @ 20V50pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW250mW310mW500mW
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-POSC-88/SC70-6/SOT-363SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
139,761
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
93,590
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60649
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1,218,389
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
2N7002DWQ-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
39,468
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55677
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。