FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平栅极,0.9V 驱动
漏源电压(Vdss)
20V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA540mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26pF @ 10V150pF @ 16V
功率 - 最大值
120mW250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357,418
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47995
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
521,338
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.79853
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。