FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 5A,10V19 毫欧 @ 8A,10V29 毫欧 @ 6A,10V30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.8nC @ 10V11nC @ 5V12nC @ 10V85nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
415pF @ 20V650pF @ 20V955pF @ 20V2390pF @ 20V
功率 - 最大值
2W3.25W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,067,953
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.99077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
32,607
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12677
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
30 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.8nC @ 10V
650pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8949
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
16,460
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.73489
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SI4904DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
7,004
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.93988
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
8A
16 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
85nC @ 10V
2390pF @ 20V
3.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
/ 4

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。