FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
485mA500mA1.38A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 600mA，4.5V630 毫欧 @ 200mA，5V700 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74nC @ 4.5V0.75nC @ 4.5V1.23nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46pF @ 10V60.67pF @ 16V-
功率 - 最大值
150mW250mW530mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
ES6SC-89（SOT-563F）SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
94,182
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
485mA
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.75nC @ 4.5V
-
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SC-89（SOT-563F）
SOT 563
DMG1024UV-7
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Diodes Incorporated
22,813
现货
414,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88634
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
1.38A
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
530mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
2,258
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.62274
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
500mA
630 毫欧 @ 200mA，5V
1V @ 1mA
1.23nC @ 4V
46pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。