FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道互补型
漏源电压（Vdss）
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）500mA（Ta），360mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V1.7 欧姆 @ 500mA，10V，4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA2.5V @ 250µA，3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3nC @ 4.5V，0.28nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.5pF @ 15V30pF @ 25V，25pF @ 25V
功率 - 最大值
125mW（Ta）450mW（Ta）
封装/外壳
SOT-563，SOT-666SOT-963
供应商器件封装
SOT-563SOT-963
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
20,006
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
8,000 : ¥2.03286
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
220mA（Ta）
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
12.5pF @ 15V
125mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
SOT 563
DMG1029SVQ-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
3,351
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
60V
500mA（Ta），360mA（Ta）
1.7 欧姆 @ 500mA，10V，4 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA，3V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V，0.28nC @ 4.5V
30pF @ 25V，25pF @ 25V
450mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。