FET、MOSFET 阵列
结果 : 5
制造商
系列
包装
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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48,033 现货 | 1 : ¥4.93000 剪切带(CT) 3,000 : ¥1.66338 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 40V | 6A,5A | 30 毫欧 @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 10.8nC @ 10V | 650pF @ 20V | 2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | ||
6,279 现货 | 1 : ¥9.28000 剪切带(CT) 4,000 : ¥3.83009 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | - | 55V | 4.7A,3.4A | 50 毫欧 @ 4.7A,10V | 1V @ 250µA | 36nC @ 10V | 740pF @ 25V | 2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO | |||
10,217 现货 | 1 : ¥7.14000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.71770 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 40V | 6.8A,5.8A | 35.5 毫欧 @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 640pF @ 20V | 3W,3.1W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
694 现货 | 1 : ¥10.02000 剪切带(CT) 500 : ¥5.42426 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 60V | 3.6A,2.6A | 55 毫欧 @ 4.5A,10V | 1V @ 250µA(最小) | 20.4nC @ 10V | 1063pF @ 30V,1021pF @ 30V | 1.25W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO | ||
2,381 现货 1,077,500 工厂 | 1 : ¥6.81000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.59363 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | - | 60V | 5.1A(Ta) | 40 毫欧 @ 8A,10V,110 毫欧 @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 20.8nC @ 10V,19.4nC @ 10V | 1130pF @ 15V,1030pF @ 30V | 1.24W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO |
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