FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V55V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A,2.6A4.7A,3.4A5.1A(Ta)6A,5A6.8A,5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 6A,10V35.5 毫欧 @ 5A,10V40 毫欧 @ 8A,10V,110 毫欧 @ 4.5A,10V50 毫欧 @ 4.7A,10V55 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.8nC @ 10V20nC @ 10V20.4nC @ 10V20.8nC @ 10V,19.4nC @ 10V36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
640pF @ 20V650pF @ 20V740pF @ 25V1063pF @ 30V,1021pF @ 30V1130pF @ 15V,1030pF @ 30V
功率 - 最大值
1.24W1.25W2W3W,3.1W
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
AO4614B
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
48,033
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
6A,5A
30 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.8nC @ 10V
650pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
6,279
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.83009
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
55V
4.7A,3.4A
50 毫欧 @ 4.7A,10V
1V @ 250µA
36nC @ 10V
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
SI4599DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Vishay Siliconix
10,217
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.71770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
6.8A,5.8A
35.5 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
640pF @ 20V
3W,3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
ZXMC4559DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Diodes Incorporated
694
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
500 : ¥5.42426
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
3.6A,2.6A
55 毫欧 @ 4.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
20.4nC @ 10V
1063pF @ 30V,1021pF @ 30V
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMC6040SSDQ-13
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Diodes Incorporated
2,381
现货
1,077,500
工厂
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.59363
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
60V
5.1A(Ta)
40 毫欧 @ 8A,10V,110 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
20.8nC @ 10V,19.4nC @ 10V
1130pF @ 15V,1030pF @ 30V
1.24W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。