FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)220mA,200mA250mA(Ta)450mA450mA,310mA540mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V990 毫欧 @ 100mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.38nC @ 4.5V0.5nC @ 4.5V2.5nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12pF @ 10V12.5pF @ 15V22.6pF @ 15V27.6pF @ 15V27.6pF @ 16V150pF @ 16V
功率 - 最大值
125mW125mW(Ta)250mW300mW350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-563,SOT-666SOT-963
供应商器件封装
SOT-563SOT-963US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
350,243
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52928
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
523,843
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.79848
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
26,459
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
8,000 : ¥2.03273
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
220mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
12.5pF @ 15V
125mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
DMN2990UDJQ-7
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Diodes Incorporated
167,655
现货
2,620,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.79361
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
450mA,310mA
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 15V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
DMN2990UDJQ-7
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Diodes Incorporated
68,827
现货
1,090,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥1.01860
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
220mA,200mA
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.38nC @ 4.5V
22.6pF @ 15V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
DMN2990UDJQ-7
DMN2990UDJ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Diodes Incorporated
15,965
现货
8,070,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.80929
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
450mA
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 16V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
SOT-963_527AD
NTUD3169CZT5G
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
33,459
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.11313
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
220mA,200mA
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.5pF @ 15V
125mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。