FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
58 毫欧 @ 3.4A，10V105 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2nC @ 5V6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235pF @ 15V-
功率 - 最大值
1.15W1.4W
库存选项
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,319
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
3.7A
58 毫欧 @ 3.4A，10V
2.2V @ 250µA
6nC @ 10V
235pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
Pkg 5540
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,362
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.48122
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A
105 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
3.2nC @ 5V
-
1.15W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。