FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 沟道（双）共源2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.4 毫欧 @ 10A，8V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43nC @ 4.5V15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17pF @ 10V2390pF @ 10V
功率 - 最大值
220mW2.5W
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerVDFN
供应商器件封装
6-TSSOP8-VSON（3.3x3.3）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SON
CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Texas Instruments
7,741
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.18759
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共源
逻辑电平栅极，5V 驱动
20V
39A
12.4 毫欧 @ 10A，8V
1.4V @ 250µA
15.2nC @ 4.5V
2390pF @ 10V
2.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerVDFN
8-VSON（3.3x3.3）
SOT363
NX7002AKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
13,734
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52039
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
170mA
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43nC @ 4.5V
17pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。