FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta）18.2A（Ta）22A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5A，10V32 毫欧 @ 5A，10V49 毫欧 @ 5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6nC @ 5V6.3nC @ 5V7.8nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
701pF @ 25V725pF @ 25V1081pF @ 25V
功率 - 最大值
32W（Ta）38W（Ta）
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
LFPAK56D
BUK9K52-60RAX
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
2,338
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.08289
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
16A（Ta）
49 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
5.6nC @ 5V
725pF @ 25V
32W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
LFPAK56D
BUK9K35-60RAX
MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
2,531
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.46183
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
22A（Ta）
32 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
7.8nC @ 5V
1081pF @ 25V
38W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
LFPAK56D
BUK9K25-40RAX
MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
7,495
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.08289
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
18.2A（Ta）
24 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
6.3nC @ 5V
701pF @ 25V
32W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。