FET、MOSFET 阵列

结果 : 9
制造商
onsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A6A(Tc)6.5A12A(Tc)30A30A(Tc)60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 20A,10V5.8 毫欧 @ 18.5A,10V7 毫欧 @ 12A,10V12 毫欧 @ 4.5A,10V17 毫欧 @ 7.5A,10V26.4 毫欧 @ 8A,10V41 毫欧 @ 5.3A,10V68 毫欧 @ 6A,10V142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.7nC @ 4.5V16.4nC @ 10V25nC @ 10V39nC @ 10V40nC @ 10V50nC @ 10V65nC @ 10V160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
405pF @ 10V840pF @ 30V870pF @ 30V1110pF @ 15V1425pF @ 15V1680pF @ 10V1869pF @ 15V2300pF @ 20V6200pF @ 15V
功率 - 最大值
600mW2.6W(Ta),23W(Tc)3.5W3.7W27W(Tc)46W48W(Tc)56W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
6-MicroFET(1.6x1.6)8-PDFN(5x6)8-SOICPowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
8,149
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.05602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
6A(Tc)
26.4 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
40nC @ 10V
1425pF @ 15V
2.6W(Ta),23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
8-SOIC
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Vishay Siliconix
16,572
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.83414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
6.5A
41 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
840pF @ 30V
3.7W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7938DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
11,519
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51416
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
60A
5.8 毫欧 @ 18.5A,10V
2.5V @ 250µA
65nC @ 10V
2300pF @ 20V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
14,164
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.83011
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
60A
5.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
160nC @ 10V
6200pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
6,388
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.32539
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
60V
12A(Tc)
68 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
16.4nC @ 10V
870pF @ 30V
3.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-PDFN(5x6)
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
12,500
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.26257
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
30A(Tc)
12 毫欧 @ 4.5A,10V
2.5V @ 250µA
25nC @ 10V
1110pF @ 15V
27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK SO-8 Dual
SQJ951EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,382
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.25859
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
30A
17 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 10V
56W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
6-Microfet
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
onsemi
6,813
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.75525
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2.6A
142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
1V @ 250µA
7.7nC @ 4.5V
405pF @ 10V
600mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFDFN 裸露焊盘
6-MicroFET(1.6x1.6)
PowerPAK® SO-8L Dual
SQJ910AEP-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
2,970
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.18334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
30A(Tc)
7 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
39nC @ 10V
1869pF @ 15V
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。