FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiTexas Instruments
系列
NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
配置
2 N-通道（双）2 P 沟道（双）共源
漏源电压（Vdss）
40V-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A12A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 12A，10V162 毫欧 @ 1A，1.8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.7nC @ 4.5V30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
595pF @ 10V1975pF @ 20V
功率 - 最大值
700mW800mW
封装/外壳
8-PowerWDFN9-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
8-Power33（3x3）9-DSBGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
YZF-9-BGA Pkg
CSD75207W15
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Texas Instruments
6,778
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 P 沟道（双）共源
逻辑电平门
-
3.9A
162 毫欧 @ 1A，1.8V
1.1V @ 250µA
3.7nC @ 4.5V
595pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
9-UFBGA，DSBGA
9-DSBGA
FDMC 8-PowerWDFN
FDMC8030
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
onsemi
8,431
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.64627
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
12A
10 毫欧 @ 12A，10V
2.8V @ 250µA
30nC @ 10V
1975pF @ 20V
800mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-Power33（3x3）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。