FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA350mA880mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
400 毫欧 @ 880mA,2.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1.6µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V0.68nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF @ 10V50pF @ 15V78pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW445mW500mW
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOPPG-SOT363-POSOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
28,404
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
149,154
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC @ 2.5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
910,003
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49626
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
350mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。