FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A，3.5A9.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 9.2A，4.5V35 毫欧 @ 3A，10V，90 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.08nC @ 15V57nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315pF @ 10V，365pF @ 10V3450pF @ 10V
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6
供应商器件封装
8-SOSOT-23-6L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
24,578
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.85421
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
12V
9.2A
17 毫欧 @ 9.2A，4.5V
900mV @ 250µA
57nC @ 4.5V
3450pF @ 10V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
SOT 23-6
SIL3724A-TP
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A SOT23-6L
Micro Commercial Co
5,990
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
30V
4.5A，3.5A
35 毫欧 @ 3A，10V，90 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
6.08nC @ 15V
315pF @ 10V，365pF @ 10V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6L
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。