FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 4.3A，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26nC @ 8V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V1500pF @ 6V
功率 - 最大值
200mW7.8W
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
27,943
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
87,151
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91409
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
12V
4.5A
41 毫欧 @ 4.3A，4.5V
1V @ 250µA
26nC @ 8V
1500pF @ 6V
7.8W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。