IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

FF300R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 460A 1600W Infineon Technologies	33 现货	1 : ¥1,113.18000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	2 个独立式	1200 V	460 A	1600 W	2.15V @ 15V，300A	5 mA	19 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
6PS18012E4FG38393NWSA1 IGBT MODULE 1200V STACK A-PSF-1 Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥115,946.31000 托盘	PrimeSTACK™	托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	三相反相器	1200 V	-	-	-	-	-	标准	是	150°C（TJ）	底座安装	模块	模块

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。