RF FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Ampleon USA Inc.MACOM Technology SolutionsNXP USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘管件
技术
LDMOSMOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共源N 通道
频率
1.8MHz ~ 250MHz30MHz ~ 500MHz2.11GHz ~ 2.2GHz2.62GHz ~ 2.69GHz
增益
13dB16dB17dB21.1dB
电压 - 测试
28 V32 V50 V
额定电流（安培）
2.8µA10µA4A
电流 - 测试
25 mA100 mA800 mA1.9 A
功率 - 输出
20W115W400W550W
电压 - 额定
65 V133 V
封装/外壳
319-07SOT-1258-4TO-220-3
供应商器件封装
319-07，3 型SOT1258-4TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
136
现货
1 : ¥506.02000
托盘
-
托盘
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
30MHz ~ 500MHz
16dB
28 V
4A
-
25 mA
20W
65 V
-
319-07
319-07，3 型
SOT1258-4
BLC10G22XS-400AVTY
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1258-4
Ampleon USA Inc.
46
现货
1 : ¥639.34000
剪切带（CT）
100 : ¥547.40340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
2.11GHz ~ 2.2GHz
17dB
28 V
2.8µA
-
800 mA
400W
65 V
表面贴装型
SOT-1258-4
SOT1258-4
MRF101xN
MRF101AN
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
NXP USA Inc.
61
现货
1 : ¥218.94000
管件
-
管件
在售
LDMOS
-
1.8MHz ~ 250MHz
21.1dB
50 V
10µA
-
100 mA
115W
133 V
-
TO-220-3
TO-220-3
RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-4
BLC10G27XS-551AVTY
RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-4
Ampleon USA Inc.
0
现货
查看交期
100 : ¥1,032.18510
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
LDMOS
2 N 沟道（双）共源
2.62GHz ~ 2.69GHz
13dB
32 V
2.8µA
-
1.9 A
550W
65 V
表面贴装型
SOT-1258-4
SOT1258-4
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。