FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A6A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 4A,10V25 毫欧 @ 3A,4.5V31 毫欧 @ 2.5A,4.5V40 毫欧 @ 2.5A,4.5V45 毫欧 @ 2A,10V55 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9nC @ 2.5V11.5nC @ 4.5V15nC @ 4.5V16nC @ 5V17nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
460pF @ 15V460pF @ 25V800pF @ 25V1030pF @ 25V1350pF @ 16V
功率 - 最大值
1.5W1.6W2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC8-TSSOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
STS8DNF3LL
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
STMicroelectronics
4,832
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.36074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
8A
20 毫欧 @ 4A,10V
1V @ 250µA
17nC @ 5V
800pF @ 25V
1.6W
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
STS5DNF60L
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOIC
STMicroelectronics
1,649
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.21300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
5A
45 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
1030pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-TSSOP
STC5NF20V
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8TSSOP
STMicroelectronics
0
现货
4,000 : ¥2.71752
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
5A
40 毫欧 @ 2.5A,4.5V
600mV @ 250µA
11.5nC @ 4.5V
460pF @ 15V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
8-TSSOP
STC6NF30V
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8TSSOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
6A
25 毫欧 @ 3A,4.5V
600mV @ 250µA
9nC @ 2.5V
800pF @ 25V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
8-SOIC
STS5DNF20V
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
5A
40 毫欧 @ 2.5A,4.5V
600mV @ 250µA
11.5nC @ 4.5V
460pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-TSSOP
STC5NF30V
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
5A
31 毫欧 @ 2.5A,4.5V
600mV @ 250µA
11.5nC @ 4.5V
460pF @ 15V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
8-SOIC
STS5DPF20L
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
5A
55 毫欧 @ 2.5A,10V
2.5V @ 250µA
16nC @ 5V
1350pF @ 16V
1.6W
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。