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FET、MOSFET 阵列
结果 : 3
产品状态
配置
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 0 现货 查看交期 | 3,000 : ¥4.23693 卷带（TR） | 卷带（TR） | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 N 沟道 | - | 100V | 4.5A（Ta），7A（Tc） | 68 毫欧 @ 5A，10V | 2.8V @ 250µA | 12nC @ 10V | 415pF @ 50V | 3.5W（Ta），7.3W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | 8-PowerSMD，扁平引线 | 8-DFN（5x6） | ||
0 现货 查看交期 | 3,000 : ¥8.01564 卷带（TR） | 卷带（TR） | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N 沟道（双）非对称型 | - | 40V | 32A (Ta), 182A (Tc) | 2.4 毫欧 @ 20A，10V | 2.3V @ 250µA | 56nC @ 10V | 3100pF @ 20V | 5W (Ta), 147W (Tc) | -55°C ~ 150°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | 8-PowerWDFN | 8-DFN-EP（5x6） | |||
| 0 现货 | 5,000 : ¥11.70618 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 N 沟道 | - | 40V | 40A（Ta），85A（Tc） | 2.3 毫欧 @ 20A，10V | 2.4V @ 250µA | 60nC @ 10V | 3350pF @ 20V | 6.2W（Ta），68W（Tc），6.2W（Ta），65W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | 8-PowerTDFN | 8-DFN（8x5） |
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